Китайской полупроводниковой отрасли может понадобиться около десяти лет, чтобы приблизиться к уровню ASML в сфере EUV-литографии. К такому выводу пришли аналитики UBS, сопоставившие текущее состояние китайских разработок с этапом, на котором нидерландская компания находилась в начале 2000-х годов.
Согласно оценке банка, китайские производители оборудования сейчас примерно соответствуют уровню развития EUV, достигнутому ASML в 2004 году. В тот период компания тестировала вакуумные системы и совершенствовала решения для выпуска 45-нм чипов и более современных изделий. Параллельно ASML работала над зеркалами для излучения с длиной волны 13,5 нм, а также над лазерными и плазменными источниками света. Сегодня компания уже занимается системами High-NA EUV, оснащенными более сложной оптикой.
Свои выводы UBS сделал на основе анализа патентной активности. Среди китайских разработчиков оборудования аналитики выделяют государственную компанию SMEE и стартап Shanghai Yuliangsheng Technology. Однако в ближайшей перспективе Китаю целесообразнее сосредоточиться на DUV-литографии. По прогнозу банка, в сегменте иммерсионной литографии китайские компании смогут сократить технологический разрыв с ASML за два-пять лет. При этом по уровню выхода годных чипов и производительности оборудования отставание, вероятно, сохранится.
Несмотря на усиление китайских разработок, ASML продолжит зависеть от местного рынка. В 2025 году на Китай пришлось около 33% продаж компании, тогда как до 2020 года этот показатель составлял примерно 10%. В негативном сценарии UBS допускает введение новых ограничений на поставки DUV-оборудования, из-за чего доля Китая в выручке ASML к 2027 году может снизиться до 15–20%.