По свежим данным, Samsung достигла заметных успехов в создании полупроводников следующего поколения. Выход годных чипов на 2-нм техпроцессе составил 50%.
Компания работает над увеличением этого уровня и уже продвигает узел SF2P — второе поколение 2-нм GAA-технологии. Этот процесс превосходит первую версию по ряду характеристик.
Партнерам по разработке (Design Solution Partners, DSP) разосланы рекомендации активно внедрять именно второе поколение 2-нм GAA, игнорируя исходную версию.
В сентябре 2025 года Samsung запустила массовое производство чипа Exynos 2600 с 50% выходом годных на 2-нм GAA и целью в 70%. Пока показатель не вырос, но он уже лучше, чем у 3-нм GAA (не более 30%).
Первое поколение 2-нм GAA будет улучшаться постепенно, но Samsung переключается на SF2P, завершив его базовую разработку.
Идёт разработка третьего поколения 2-нм GAA (SF2P+), которое появится примерно через два года. Источник, знакомый с планами, отмечает: фокус на SF2P, PDK готов с середины прошлого года.
SF2P применят в Exynos 2700 следующего года с поддержкой LPDDR6 RAM и UFS 5.0.
Технология привлечёт не только флагманские SoC Samsung, но и других клиентов. Tesla запустит производство ИИ-чипа AI6 на SF2P по договору на 16,5 млрд долларов.