Китайская компания CXMT пытается выйти на рынок HBM, однако производство таких чипов пока остаётся для неё серьёзным испытанием. Согласно данным корейских СМИ, выход годных 8-слойных чипов HBM3 составляет всего 25–30%, что значительно затрудняет их массовый выпуск.
Основные сложности связаны с TSV — вертикальными соединениями, проходящими через кремниевые слои и обеспечивающими обмен данными между объединёнными кристаллами. В одном чипе CXMT используется около 3000 таких соединений. Кроме того, производитель сталкивается с проблемами при укладке и соединении DRAM-кристаллов, поэтому большая часть продукции не проходит финальный контроль качества. По оценкам отраслевых источников, из партии примерно в 100 чипов бракованными могут оказаться 70–80.
Производство HBM значительно сложнее выпуска стандартной DRAM, поскольку требует объединения нескольких слоёв памяти в единый стек. В современных решениях применяется до 16 слоёв, а будущий стандарт HBM4 предполагает использование ещё более сложных технологий соединения. Ранее CXMT удалось укрепить свои позиции на мировом рынке памяти благодаря поставкам обычной DRAM китайским компаниям, тогда как Samsung, SK hynix и Micron направляли значительную часть ресурсов на развитие HBM. Однако попытка конкурировать с лидерами этого сегмента показала, насколько высокими остаются технологические требования.