NVIDIA, судя по всему, намерена изменить баланс сил на рынке памяти HBM, который сегодня контролируют Samsung, SK hynix и Micron. Компания развивает собственную архитектуру NVHBM, способную серьёзно повлиять на позиции ведущих производителей.
Главная особенность NVHBM заключается в переносе контроллера памяти с основного чипа XPU на базовый слой стека HBM. Согласно представленным данным, такое решение может повысить пропускную способность примерно на 30%, а энергопотребление сократить на 15% по сравнению с HBM4E. Одновременно до 25% площади основного кристалла освободится для размещения дополнительных вычислительных блоков.
На этом фоне особое внимание привлекают сведения о возможном пересмотре SK hynix подхода к выпуску базовых кристаллов. Сейчас они производятся на мощностях TSMC по 12-нм техпроцессу и обходятся в три-четыре раза дороже стандартных чипов DRAM. Корейские СМИ сообщают, что компания изучает возможность переноса производства к Intel, что позволило бы уменьшить расходы.
Для NVIDIA проект NVHBM означает не просто стремление повысить скорость и энергоэффективность памяти. Контроллер является одной из наиболее важных и дорогих частей HBM, поэтому компания пытается получить влияние на архитектуру всей системы. В случае успеха производители DRAM могут утратить ведущую роль и превратиться преимущественно в поставщиков компонентов, тогда как NVIDIA получит значительно больше контроля над себестоимостью и дальнейшим развитием HBM.