В Intel считают, что компания практически сравнялась с TSMC в области технологических разработок, а отставание в несколько процентов по производительности не имеет решающего значения. Намного сложнее увеличить объёмы выпуска чипов и добиться стабильного выхода годных кристаллов — именно на это американскому производителю потребуется значительное время.
Технический директор Intel Пушкар Ранаде рассказал в подкасте Dwarkesh, что тайваньская TSMC сейчас заметно опережает компанию по масштабам производства пластин. По его словам, устранение разрыва будет проходить постепенно. При этом небольшие различия в производительности, энергоэффективности или плотности размещения транзисторов не столь важны, как своевременное внедрение техпроцесса, высокий выход годных чипов и способность оперативно наращивать производственные мощности.
Вице-президент Intel Крис От отдельно отметил возможности технологии High NA EUV, которая будет использоваться в рамках будущего техпроцесса 14A. Компания применяет подачу питания с обратной стороны кремниевой пластины, что позволяет освободить лицевую поверхность для вычислительных элементов. По словам Ота, благодаря этому High NA EUV можно задействовать без дополнительного разделения литографического рисунка на несколько этапов. Представитель Intel утверждает, что TSMC вынуждена прибегать к такому подходу из-за более строгих требований к шагу размещения компонентов. Поддержка 14A уже включена в PDK, а детали технологии обсуждаются с каждым заказчиком отдельно.
Однако заявленные преимущества ещё предстоит доказать в условиях массового производства. Intel рассчитывает на техпроцесс 14A, в то время как TSMC, согласно отраслевым данным, ускоряет разработку следующего поколения производственных норм. Новые трудности могут возникнуть и при вертикальном размещении транзисторов: их соединение становится сложнее, а заполнение узких каналов способно приводить к появлению пустот и дефектов.