Samsung заметно улучшила показатели производства памяти HBM4. Согласно информации корейских СМИ, доля годных чипов приблизилась к 80% — показателю, который в отрасли считается практически идеальным. Этот результат особенно важен для компании, которая в последние годы пыталась сократить отставание от SK Hynix и Micron на рынке памяти для систем искусственного интеллекта.
Массовый выпуск HBM4 Samsung начала в феврале, однако первоначально выход годных чипов не превышал 60%. Благодаря ускоренной настройке и оптимизации производственного процесса компании удалось существенно повысить эффективность и достичь целевого уровня намного раньше первоначальных ожиданий. На этом фоне Samsung уже втрое увеличила прогноз выручки от HBM4 в третьем квартале.
Память HBM4 производится с применением DRAM техпроцесса класса 10 нм и логики, созданной по 4-нм нормам. Заявленная скорость достигает 13 Гбит/с, а пропускная способность одного стека — 3,3 ТБ/с. Максимальный объем составляет 48 ГБ. По сравнению с HBM3E новая память также должна предложить более высокую энергоэффективность и улучшенные характеристики отвода тепла.
Примечательно, что решения Samsung уже применяются в ускорителях AMD Instinct MI400. Одновременно компания работает над HBM4E: на этапе испытаний надежности доля годных чипов достигла 70%, а пропускная способность отдельного стека может составить до 4 ТБ/с. Если Samsung продолжит развивать производство такими темпами, SK Hynix вскоре столкнется с гораздо более сильным конкурентом в борьбе за ключевой ресурс современной индустрии искусственного интеллекта.