Китайская компания Naura Technology Group сообщила о создании новой технологии травления, которая может приблизить страну к выпуску 3D DRAM. По словам разработчиков, им удалось равномерно обрабатывать структуру из 64 слоёв, устранив несколько недостатков традиционных методов.
Процесс включает два основных этапа. На первом этапе нейтральные фторсодержащие радикалы воздействуют на слои кремний-германий (SiGe), практически не повреждая расположенные рядом кремниевые слои. При этом на поверхности кремния образуется защитный слой фторида германия. Затем плазменная продувка удаляет остаточные продукты реакции и уменьшает эффект микронагрузки, из-за которого глубина травления может отличаться на разных участках конструкции.
Naura заявляет, что новый метод обеспечивает селективность травления кремния по отношению к SiGe на уровне более 500:1. Это означает, что SiGe удаляется свыше чем в 500 раз быстрее кремния. Подобная точность особенно важна для 3D DRAM, где чередующиеся материалы требуется обрабатывать на значительной глубине, не повреждая соседние элементы. В перспективе технология может помочь китайской CXMT развивать вертикальную архитектуру памяти и частично компенсировать ограничения DUV-литографии, не располагающей возможностями современных EUV-систем.